Инженерная графика в системе OrCAD
Диоды
Таблица 5.5. Диоды
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Forward Voltage (Прямая ветвь ВАХ) |
|||||
| Vfwd, Ifwd |
Координаты точек ВАХ диода |
IS RS |
10- 4 А 0,1 Ом |
||
| N |
1 |
||||
| IKF |
0 |
||||
| XTI* |
3 |
||||
| EG* |
1,11 В |
||||
| Junction Capacitance (Барьерная емкость) |
|||||
| Vrev, Cj |
Зависимость барьерной емкости перехода от модуля напряжения обратного смещения |
CJO VJ М |
1 пФ 0,75 В 0,3333 |
||
| FC* |
-0,5 В |
||||
| Символы данных |
Справочные данные |
Параметры модели |
|||
| Имя |
Значение по умолчанию |
||||
| Reverse Leakage (Сопротивление утечки) |
|||||
| Vrev, Irev |
Зависимость тока утечки от абсолютной величины напряжения обратного смещения |
ISR NR |
100 пА 2 |
||
| Reverse Breakdown (Напряжение стабилизации) |
|||||
| Vz |
Абсолютная величина напряжения пробоя (стабилизации) при токе Iz |
BV IBV |
100 В 100 мкА |
||
| Iz |
Ток пробоя (стабилизации) |
||||
| Zz |
Дифференциальное сопротивление на участке пробоя в точке (Iz, Vz) |
||||
| Reverse Recovery (Рассасывание носителей заряда) |
|||||
| Trr |
Время рассасывания носителей заряда |
ТТ |
5 не |
||
| Ifwd |
Ток диода в прямом направлении до переключения |
||||
| Irev |
Обратный ток диода после переключения |
||||
| Rl |
Эквивалентное сопротивление нагрузки (включая выходное сопротивление генератора) |
||||
Биполярные транзисторы. В табл. 5.6 приведены паспортные данные биполярного транзистора (Bipolar Transistor: NPN, PNP), которые вводит пользователь, и список параметров его математической модели, которые рассчитываются в программе.
